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三星推出UFS 2.0标准128GB闪存芯片,或用于Galaxy S6

本文作者: Penny 2015-02-26 11:44
导语:三星昨日宣布推出了业内首款UFS 2.0标准的128GB闪存芯片,随机读取速度达到19000 IOPS,是eMMC 5.0的2.7倍(7000 IOPS),随机写入速率高达14000 IOPS,是一般外置存储卡的28倍。

三星昨日宣布推出了业内首款UFS 2.0标准的128GB闪存芯片,随机读取速度达到19000 IOPS,是eMMC 5.0的2.7倍(7000 IOPS),随机写入速率高达14000 IOPS,是一般外置存储卡的28倍。

持续读写速度方面,三星没有公布具体的数据,但表示已经接近普通SSD的水平了,同时功耗能降低50%。此外,该闪存还采用了嵌入式堆叠封装(ePoP)技术,可直接堆叠在逻辑芯片上,节省约50%的空间。

该闪存有32、64以及128GB三种容量可选,传统的16GB已经不见踪影了。可以预见的是,它未来很有可能成为旗舰产品的标配(处理器需要支持UFS标准),在即将到来的Galaxy S6上我们很有希望看到它。

三星推出UFS 2.0标准128GB闪存芯片,或用于Galaxy S6


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