iPhone 6闪存问题被辟谣 或与三星有关

日前发现部分iPhone 6与iPhone 6 Plus存在明显储存问题，谣言称这预示这苹果公司正在向另一种NAND闪存技术转变。但目前谣言已证实为捏造，而这或与三星有关。

几周之前，一些iPhone用户反应了iPhone6与iPhone6 Plus的存储问题，由于安装程序过多从而出现反复死机状况。而其中受影响最大的是128GB的iPhone6 Plus。

韩国媒体Business Korea前几日报道称，64GB iPhone 6手机用户亦受到此技术缺陷的困扰，问题可能存在于苹果使用的三阶储存闪存NAND中，其由2011年苹果收购的Anobit公司生产。

虽然三阶储存闪存NAND每个闪存单元可以储存更多数据，但读取和写入数据速度要比其他NAND闪存慢。有传言称苹果已将64GB iPhone 6 及 128GB iPhone 6 Plus的储存技术变为多阶存储闪存NAND。

有消息称，这一情况并不属实。目前苹果并未打算召回这些拥有“硬件问题”的手机，这些手机中所用的Anobit组件亦不存在任何问题。而此谣言来源于韩国一个小出版社，据说此出版社与三星关系密切。

手机出现问题的用户不必过度担心，原因也有可能与iOS的系统更新有关，有报道称升级到最新的iOS 8.1.1系统有可能帮助部分用户修复这些缺陷。当然，有问题与苹果保修服务取得联系即可。

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