0
| 本文作者： 程弢 | 2017-02-12 22:15 |
农历新年刚过，IoT圈就迎来了不少好消息，例如3GPP官方敲定了5G的logo，5G的标准化进程又进了一步；而爱立信和IBM合作推出的5G毫米波相控阵IC更是在5G的商用之路上迈出了一大步。除此之外，还有国内半导体圈的重大签约消息...具体发生了那些事？和雷锋网IoT科技评论君一起回顾一下吧！
本周三，国际通信标准组织3GPP咋在毫无征兆的情况下严肃地宣布了5G的官方logo！话不多说，先上图，大家感受感受：
如果对比4G LTE的logo，你就可以发现5G的logo也沿用了部分4G LTE-Advanced Pro的logo设计。3GPP表示，5G logo的设计是建立在现有的LTE的新设计之上，并使用LTE-Advanced Pro的绿色标志突出技术的不断进化。
3GPP官方表示，该5G logo将使用于Release 15、Release 16以及后续相关5G标准规范中。根据3GPP之前的规定，5G标准第一个版本将于2018年9月完成，也就是Release-15，主要为了满足比较急迫的商业需求；而5G标准第二个版本将于2020年3月完成，称为Release-16，将满足IMT 2020提出的目标和所有可识别的用例与需求。这就意味着从现在开始，它将成为3GPP官方唯一指定logo。
在logo敲定之后，5G的标准制定工作可以说是万事俱备只欠东风了。当然，如果你认为一个logo还不足以代表5G落地的整体进展，那么不妨看看IBM和爱立信在5G上用时两年的合作成果。
IBM和爱立信（Ericsson）周二联合发布公告，正式宣布成功推出了应用于未来5G基站的硅基毫米波相控阵集成电路。
根据公告，该相控阵集成电路在28GHz毫米波频率下工作，并已经在相控阵列天线模块中成功演示，为未来5G网络铺平了道路。该产品是两家公司历时两年的合作成果（早在2014年11月底两家公司就展开了关于5G天线研发的合作），它结合了IBM在高集成相控阵毫米波集成电路和天线封装解决方案的优势，以及爱立信在设计移动通信电路和系统的技术积累。
IBM官方表示，这个模块包含四个单片集成电路和64个双极化天线，模块尺寸约为2.8 英寸*2.8英寸（约 7.1 厘米*7.1 厘米），几乎是主流手机一半的大小，IBM表示这是支持5G广泛部署的必要尺寸，尤其是在室内空间和密集的大城市区域内。
IBM还指出，相控阵列天线模块的并行双极化运作方式能够形成两个波束，同时保持接受和发送模式，进而使服务的用户数量增加一倍，该设计同时还支持低于1.4度的波束扫描精度。
根据IBM的介绍，该相控阵集成电路基于公司此前的毫米波工作基础上，包括2006年开发的单片毫米波无线电，2013年面向移动和雷达推出的高度集成毫米波相控阵列接收器，以及移动手机如何在毫米波频率下进行通讯的相关探索和研究。
在旧金山召开的2017国际固态电路会议上，IBM还披露了一份描述IBM和爱立信如何合作开发该相控阵集成电路的文件，文件标题为《A 28GHz 32-Element Phased-Array Transceiver IC with Concurrent Dual Polarized Beams and 1.4 Degree Beam-Steering Resolution for 5G Communications》。
当然，如果你以为研究机构只对5G感兴趣，那就大错特错了！
研究人员已经研发出一种太赫兹发射器，该发射器的数据传输速度要比5G至少快10倍，而该技术有望在2020年实现应用。
为期五天的2017国际固态电路会议 （ ISSCC） 将于2月5号到9号在加利福尼亚州的旧金山举行，根据安排，太赫兹发射器将会在这次电路会议上被展示，这种传送机能够将一个DVD上的全部内容瞬间发送完毕。（编者注：太赫兹频率是一种新的巨大频率资源，有望在未来应用于超高速无线通信。）
Minoru Fujishima 是日本广岛大学的教授，也是太赫兹研究者之一。他说：“太赫兹也能与卫星进行超高速连接，而与卫星的连接，只能通过无线。这也有好处，比如，它极大地促进了动态网络连接的发展。其它可能的应用包括快速将资源下载到移动设备，基站之间实现超快速无线连接。”
据了解，该研究小组研发的是一款频率在290GHz 到 315GHz 的发射器，能够实现105Gbps的通信速度。虽然这个范围的频段现在还没有被分配，但值得注意的是它处于275GHz 到 450GHz 范围内，该频段将在国际电信联盟无线电通信部门组织的2019世界无线电大会上进行讨论。
雷锋网还了解到，去年该研发小组就曾向大家展示了通过使用正交调幅（QAM）大幅提高300GHz 频率的无线连接速度的研究成果。今年，他们展示的是更快的发射器，单个通道数据速率比之前快六倍。作为集成电路发射器，它首次实现单个通道速率超过100 Gbps.
“今年我们新研发的发射器，传送功率比之前的要高十倍。这使得 300GHz 的单个通道数据速率超过100 Gbit/s 成为可能。”Fujishima 如此表示。
他还说道：“我们通常讨论兆位每秒或吉比特每秒的无线数据传输速率，但是现在我们正接近利用简单的单一通信通道实现太比特每秒的传输速率。”接下来，广岛大学、日本国家信息与通信研究所以及松下电器的研究小组计划进一步研发300GHz 的超高速无线电路。
把视线拉回到国内半导体圈，以下几起焦点事件也引起了业界的热议。
在本周五上午，全球第二大晶圆厂Global Foundries在成都高新区正式宣布，将携手成都市成立合资公司——格芯（成都）集成电路制造有限公司，并在成都建立全新的合资晶圆厂。
据雷锋网了解，格芯成都是中国最大的12寸晶圆厂，投资规模累计超过100亿美元，预计年产量将达到100万片。按照其官方的计划，第一期建设CMOS工艺产线，主要为180nm和130nm，引自新加坡技术，产能每月2万片，预计2018年底投产；第二期22FDX，引自德国技术，产能每月6.5万片，2019年下半年投产。这样算下来，一期二期完成后，总产能将达到8.5万片/月。
众所周知，晶圆尺寸越大，单一晶圆片上可生产的IC芯片就越多，但对材料技术和生产技术的要求更高，目前的晶圆尺寸有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大的规格，而12英寸可以说是当下最最主流的尺寸，根据市场研究机构IC Insights的最新报告，到2020年12英寸晶圆的比例将达到68%。
值得一提的是，Global Foundries还宣布，未来在中国市场将启用全新的名字——格芯，而放弃了此前大家所熟知的格罗方德。
格芯首席执行官Sanjay Jha表示：“为满足全球客户群的需求，我们将不断在产能和技术上进行投资。从应用于无线互联设备的世界顶级 RF-SOI 平台，到占据科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工艺路线图，这些均见证了市场对于我们主流工艺和先进工艺技术的强劲需求。新投资将有助格芯扩张现有的晶圆制造厂。通过此次在成都的合作计划，我们将稳固，并进一步加速在中国市场的发展。”
格芯此前曾公布了一组数据：22nm FD-SOI工艺功耗比28nmHKMG降低了70%，芯片面积比28nmBulk缩小了20%，光刻层比FinFET工艺减少接近50%，芯片成本比16/14nm FinFET低了20%。如果该数据属实，那么22nm FD-SOI的性能甚至可以与14/16nm FinFET持平，而芯片的成本却与28nm相当。
半导体资深人士莫大康也曾表示，相比FinFET，FD-SOI根据功耗和综合成本优势，其产品广泛应用于移动终端、物联网、智能设备、汽车电子等领域，发展FD-SOI制程工艺是中国集成电路追赶国际先进水平的机会。
国内半导体制造商——上海先进半导体制造股份有限公司日前发布公告表示，武汉新芯前COO洪沨博士将加入该公司，并担任CEO一职。
据了解，先进半导体已经洪与洪沨签订了合同，合同期限为2017年2月6日至2020年2月5日。根据该合同，洪沨的年薪为2,112,768元人民币。根据先进半导体的公告，洪沨担任公司CEO一职后，公司副总裁周卫平将不再负责总裁职权。
先进半导体的前身为1988年由中荷合资成立的上海飞利浦半导体公司，该公司1995年易名为上海先进半导体制造有限公司，2004年才改制为上海先进半导体制造股份有限公司。根据其官方的介绍，这家本土半导体制造商拥有5英寸、6英寸、8英寸晶圆生产线和MEMS独立生产线各一条，专注于模拟电路、功率器件和MEMS芯片的制造，年生产大规模集成电路芯片近80万片。
洪沨于1983年获得复旦大学物理学士学位，于1986年获得复旦大学电子工程硕士学位，于1993年获得美国北卡罗莱纳州立大学材料科学与工程博士学位，此后，他供职于多家国内外半导体厂商。
雷峰网原创文章，未经授权禁止转载。详情见转载须知。
