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本文作者: 程弢 | 2017-02-10 14:49 |
雷锋网最新消息,今日上午,全球第二大晶圆厂Global Foundries在成都高新区正式宣布,将携手成都市成立合资公司——格芯(成都)集成电路制造有限公司,并在成都建立全新的合资晶圆厂。
据雷锋网了解,格芯成都是中国最大的12寸晶圆厂,投资规模累计超过100亿美元,预计年产量将达到100万片。按照其官方的计划,第一期建设CMOS工艺产线,主要为180nm和130nm,引自新加坡技术,产能每月2万片,预计2018年底投产;第二期22FDX,引自德国技术,产能每月6.5万片,2019年下半年投产。这样算下来,一期二期完成后,总产能将达到8.5万片/月。
众所周知,晶圆尺寸越大,单一晶圆片上可生产的IC芯片就越多,但对材料技术和生产技术的要求更高,目前的晶圆尺寸有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大的规格,而12英寸可以说是当下最最主流的尺寸,根据市场研究机构IC Insights的最新报告,到2020年12英寸晶圆的比例将达到68%。
值得一提的是,Global Foundries还宣布,未来在中国市场将启用全新的名字——格芯,而放弃了此前大家所熟知的格罗方德。
格芯首席执行官Sanjay Jha表示:“为满足全球客户群的需求,我们将不断在产能和技术上进行投资。从应用于无线互联设备的世界顶级 RF-SOI 平台,到占据科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工艺路线图,这些均见证了市场对于我们主流工艺和先进工艺技术的强劲需求。新投资将有助格芯扩张现有的晶圆制造厂。通过此次在成都的合作计划,我们将稳固,并进一步加速在中国市场的发展。”
雷锋网曾报道,格芯此前曾公布了一组数据:22nm FD-SOI工艺功耗比28nmHKMG降低了70%,芯片面积比28nmBulk缩小了20%,光刻层比FinFET工艺减少接近50%,芯片成本比16/14nm FinFET低了20%。如果该数据属实,那么22nm FD-SOI的性能甚至可以与14/16nm FinFET持平,而芯片的成本却与28nm相当。
半导体资深人士莫大康也曾表示,相比FinFET,FD-SOI根据功耗和综合成本优势,其产品广泛应用于移动终端、物联网、智能设备、汽车电子等领域,发展FD-SOI制程工艺是中国集成电路追赶国际先进水平的机会。
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