高通推出Quick Charge 4+：充电更快，发热更少

高通的快速充电技术向来是它引以为傲的资本，也是骁龙系列芯片的一大卖点。大约半年前，高通在其高端处理器芯片骁龙835中引进了Quick Charge 4.0 技术，如今市面上搭载骁龙835处理器的产品还寥寥无几，高通便又迫不及待地推了Quick Charge 4+ 技术。

雷锋网了解到，相比Quick Charge 4.0，Quick Charge 4+迎来了三大升级：充电发热降低了约3%；充电速度最高提升15%；充电效能最高提升30%。

具体功能方面，则有以下三点升级：

双路充电（Dual Charge)：双路充电功能早在前几版快充技术中就已经具备了，如今高通对其进行了优化。所谓双路充电，是指终端设备中拥有两个电源管理IC，可以分散充电电流，缩短充电时间并减少发热量。

智能热平衡：智能热平衡可以看做双路充电的辅助功能，可以智能选择温度低的线路充电，减少发热量。

安全防护：Quick Charge 4.0技术中已经包含了严密的内置安全协议。Quick Charge 4+ 技术则对其进行了优化，能够同时监控终端设备外壳和连接器的温度，有效防止短路和过热等情况对设备造成伤害。

Quick Charge 4+的充电器和电源线将向下兼容Quick Charge 3.0和2.0设备，所以不必担心兼容性问题。出人意料的是，首款支持Quick Charge 4+的设备竟然是Nubia Z17。

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