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此前，eMMC闪存标准占据着绝大多数的手机、平板等内嵌式存储器市场，从eMMC 4.3时代发展到最新的eMMC 5.0标准，内嵌式闪传性能有了很大的提高。不过，从去年3月份UFS 2.0闪存标准公布以来，凭借超高速的读写，大有取代eMMC的趋势。最新发布的旗舰机型小米5，一加3和乐视Max2等机型，均采用了UFS 2.0闪存技术。面对这一趋势，三星首先将UFS 2.0标准应用在了内存卡上。
据最新消息，三星领先业界发布了一系列不同容量版本的UFS内存卡，虽然和microSD卡长得差不多，但无论是连续读写还是随机读写，据三星介绍都和microSD卡不是一个数量级的。此外，由于UFS卡的金手指触点和传统microSD卡完全不同，因此将无法兼容。
三星表示，256GB版本的UFS内存卡连续读取数据的速度可以达到530M/s，连续写入数据的速度可以达到170M/s，分别是EVO+ microSD卡读取速的5倍，写入速度的2-3倍。同样是三星发布的EVO+此前号称是最快的microSD卡，宣传的读取速度是100M/s，写入速度50M/s（但经一些科技媒体实测读取速度只有80M/s，写入速度是20M/s）。
随机读写方面，三星表示256GB版本的UFS卡将达到40,000 IOPS（每秒输出/输出操作次数）的随机读取速率，这一数字是传统microSD卡的20倍；35,000 IOPS的随机写入速率，是传统卡的350倍（小编再三确认，的确是350倍）。
虽然三星宣称很快，不过，要看到UFS卡在实际应用场景中的具体表现之后才能下结论。据称，三星将很可能在即将发布的Galaxy Note 7上支持UFS标准的内存卡扩展，让我们拭目以待吧。
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